فناوریهای حافظه
Memory Technologies
مقطع: تحصیلات تکمیلی | گرایش: معماری سیستمهای کامپیوتری |
نوع درس: نظری | تعداد واحد: ۳ |
پیشنیاز: – | همنیاز: – |
هدف کلی
هدف درس فناوریهای حافظه عبارت است از بررسی عملکرد و فناوریهای مختلف دستگاههای حافظه مدرن. این درس به بررسی دستگاههای حافظه حالت متغیر و غیرمتغیر با حالت بروز میپردازد و محدودیتهای آنها را بررسی میکند. برای پیشرفت بیشتر، این درس به بررسی فناوریهای دستگاه حافظه در حال ظهور میپردازد، از جمله فناوریهایی که ممکن است در دهههای آینده در رایانهها و دستگاههای تلفن همراه به دلیل عملکرد، چگالی، قدرت و هزینه مزایای پتانسیلی داشته باشند. علاوه بر این، الگوریتمهای یادگیری عمیق و محاسبات نورومورفیک به طور کارآمد در سختافزارهای پیشرفته اجرا نمیشوند. فناوریهای دستگاهی در پردازندههای نورومورفیک آینده که رفتار مغز انسان را شبیهسازی میکنند، مانند مموریستورها، مورد بحث قرار خواهند گرفت. دستیابی به عملکرد مموریستورها ارتباط نزدیکی با فناوریهای دستگاه حافظه در حال ظهور دارد.
سرفصلها
- مقدمه مختصر درباره ترانزیستورهای میدانی
- دستگاههای حافظه حالت متغیر بهروز: حافظههای DRAM، SRAM
- دستگاههای حافظه غیرمتغیر بهروز: فناوری حافظه فلش
- دستگاههای حافظه با استفاده از گشتاور انتقالی چرخشی
- دستگاههای حافظه با تغییر فاز
- دستگاههای حافظه مقاوم
- معماری کراسبار
- مدلهای دستگاه مموریستور
- سایر دستگاهها برای محاسبات نورومورفیک
- پروژه درس و ارائه مقاله تحقیقاتی
ارزیابی پیشنهادی
- تمرینها و پروژه: ۳۰ درصد نمره
- آزمونهای میانترم و پایانی: ۵۰ درصد نمره
- پروژه پژوهشی: ۲۰ درصد نمره
منابع پیشنهادی
- A. Chen, J. Hutchby, V. Zhirnov, and G. Bourianoff. Emerging Nanoelectronic Devices. Part Two: Nanoelectronic Memories, Wiley, 2015.